型号:NTQD6866R2G | 类别:FET - 阵列 | 制造商:ON Semiconductor |
封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) | 描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP |
系列 | - |
制造商 | ON Semiconductor |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 4.7A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 32 毫欧 @ 6.9A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1.2V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 22nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1400pF @ 16V |
功率_最大 | 940mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-TSSOP |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
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